[发明专利]空气桥制造方法

权利要求书

1.一种空气桥制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底和形成在半导体衬底上的至少两个待连接的电极；

在所述衬底和电极表面形成第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行部分曝光后对所述第一光刻胶层进行显影，以形成桥体和暴露出电极表面；

在所述电极和第一光刻胶层上依次形成金属种层和第二光刻胶层，并对所述第二光刻胶层进行光刻，去除所述桥体和电极上的第二光刻胶层，形成窗口；

在所述窗口内的金属种层上形成金属电镀层，并去除剩余的第二光刻胶层；

去除非所述窗口内的金属种层，去除所述第一光刻胶层，形成空气桥。

2.根据权利要求1所述的空气桥制造方法，其特征在于，采用灰度掩膜法或者近似曝光法对所述第一光刻胶层进行部分曝光。

3.根据权利要求2所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述灰度掩膜法对所述第一光刻胶层进行部分曝光的过程包括：

设计桥体的形状，并计算所述第一光刻胶层不同位置的曝光剂量；

根据计算结果调整掩膜在所述第一光刻胶层相对应的位置处的透射率；

使用紫外光照射所述掩膜。

4.根据权利要求2所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述近似曝光法对所述第一光刻胶层进行部分曝光的过程包括：

设计桥体的形状，并采用等高线拟合所述桥体的形状，同一等高线位置的曝光剂量相同；

将所述第一光刻胶层划分为n个不同平面区域，其中，n为等高线的条数。

采用n个掩模对所述n个平面区域依次进行曝光，每个掩膜的透明区域分别对应一个所述平面区域。

5.根据权利要求1所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述金属种层为包含钛、金和铜中任意两种或多种金属的叠层。

6.根据权利要求1所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述金属层中的金属为铜、金、镍、钯中的任意组合。

7.根据权利要求1所述的空气桥制造方法，其特征在于，采用泛曝光法或者氧等离子体焚烧法去除剩余的第二光刻胶层。

8.根据权利要求7所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述泛曝光法去除剩余第二光刻胶层的过程包括：在无掩膜的情况下，使用紫外光照射所述第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层浸泡在显影剂中去除。

9.根据权利要求7所述的空气桥制造方法，其特征在于，所述氧等离子体焚烧法去除剩余的第二光刻胶层的过程包括：将所述第二光刻胶层置于氧等离子环境中完全燃烧。