[发明专利]半导体结构以及用于制作半导体结构的方法

摘要

一种半导体结构以及用于制作半导体结构的方法。所述方法包含：接纳包含第一区和第二区的衬底；形成图案化硬掩模，所述图案化硬掩模包含暴露所述第一区的部分的第一开口和暴露所述第二区的部分的第二开口；在所述第一区中形成第一沟槽且在所述第二区中形成第二沟槽；对所述图案化硬掩模在所述第一区域中的部分和所述衬底从所述第一沟槽暴露的部分执行离子植入；扩大所述第一开口以形成第三开口且扩大所述第二开口以形成第四开口；和通过填充所述第一沟槽形成第一隔离结构且通过填充所述第二沟槽形成第二隔离结构。

主权项

1.一种用于制作半导体结构的方法，其包括：接纳衬底；在所述衬底上方形成图案化硬掩模，所述图案化硬掩模包括至少第一开口；透过所述图案化硬掩模的所述第一开口在所述衬底中形成至少沟槽，且从所述沟槽暴露所述衬底的至少部分；对所述图案化硬掩模和从所述沟槽暴露的所述衬底的所述部分执行离子植入以在所述衬底中形成掺杂区；通过去除所述图案化硬掩模的部分而扩大所述第一开口以在所述沟槽上方形成第二开口；以及通过填充所述沟槽而形成隔离结构。