[发明专利]在集成电路产品上形成接触结构的方法有效
| 申请号： | 201811332964.0 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109904113B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 谢瑞龙;拉尔斯·W·赖柏曼;巴拉沙巴马尼恩·波拉纳斯哈拉恩;威拉拉哈瓦恩·巴斯克尔 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在集成电路产品上形成接触结构的方法，揭示一种示例方法，包括但不限于：形成至少一牺牲材料层于一下方导电结构之上，形成一牺牲接触结构于所述至少一牺牲材料层中，以及形成至少一绝缘材料层于所述牺牲接触结构的周围。于该示例中，该方法还包括执行至少一工艺操作以暴露所述牺牲接触结构的一上表面，移除所述牺牲接触结构以形成暴露所述下方导电结构的所述上表面的一接触开口以及形成一最终接触结构于所述接触开口中，所述最终接触结构导电接触所述下方导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 产品 形成 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成至少一牺牲材料层于下方导电结构之上；形成一牺牲接触结构于所述至少一牺牲材料层中，所述牺牲接触结构接触所述下方导电结构的上表面；移除所述至少一牺牲材料层；形成至少一绝缘材料层于所述牺牲接触结构的周围；执行至少一工艺操作以暴露所述牺牲接触结构的上表面；移除所述牺牲接触结构，以形成暴露所述下方导电结构的所述上表面的接触开口；以及形成一最终接触结构于所述接触开口中，所述最终接触结构导电接触所述下方导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
