[发明专利]在集成电路产品上形成接触结构的方法

权利要求书

1.一种形成接触结构的方法，包括：

形成至少一牺牲材料层于下方导电结构之上；

形成一初始开口于所述至少一牺牲材料层中，所述初始开口暴露所述下方导电结构的上表面的一部分；

形成一牺牲接触结构于所述初始开口中，所述牺牲接触结构接触所述下方导电结构的所述上表面；

移除所述至少一牺牲材料层；

形成至少一绝缘材料层于所述牺牲接触结构的周围；

执行至少一工艺操作以暴露所述牺牲接触结构的上表面；

移除所述牺牲接触结构，以形成暴露所述下方导电结构的所述上表面的接触开口；以及

形成一最终接触结构于所述接触开口中，所述最终接触结构导电接触所述下方导电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下方导电结构包括晶体管的源漏接触结构或栅极结构的其中一者。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述初始开口于所述至少一牺牲材料层中执行至少一蚀刻工艺，以暴露所述下方导电结构的所述上表面的所述部分，且其中，形成所述牺牲接触结构于所述初始开口中的步骤还包括：

沉积用于所述牺牲接触结构的材料以过量填充所述初始开口；以及

执行化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺的其中一者，以从所述至少一牺牲材料层的上表面之上移除所述沉积用于所述牺牲接触结构的材料的一部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述至少一工艺操作，以暴露所述牺牲接触结构的所述上表面的步骤还包括：执行化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺的其中一者，以移除所述至少一绝缘材料层的一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述至少一绝缘材料层于所述牺牲接触结构的周围的步骤还包括：形成所述至少一绝缘材料层以使所述至少一绝缘材料层实际接触所述牺牲接触结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述牺牲接触结构于所述至少一牺牲材料层中之前，所述方法还包括：

执行至少一蚀刻工艺以形成具有侧壁的一初始开口于所述至少一牺牲材料层中，所述初始开口暴露所述下方导电结构的所述上表面的一部分；以及

形成一内侧壁间隔件于所述初始开口中以及所述初始开口的所述侧壁上，其中，所述下方导电结构的所述上表面的一部分在形成所述内侧壁间隔件之后仍然暴露，且其中，形成所述牺牲接触结构包括形成所述牺牲接触结构于所述初始开口内，并实际接触所述内侧壁间隔件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，执行所述至少一工艺操作以暴露所述牺牲接触结构的所述上表面的步骤还包括：执行化学机械抛光工艺或回蚀刻工艺的其中一者以移除所述至少一绝缘材料层的一部分或所述内侧壁间隔件的一部分。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，移除所述至少一牺牲材料层的步骤还包括：移除所述至少一牺牲材料层而在相邻所述牺牲接触结构的位置保留所述内侧壁间隔件。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述至少一绝缘材料层于所述牺牲接触结构的周围的步骤还包括：形成所述至少一绝缘材料层，使得所述至少一绝缘材料层实际接触所述内侧壁间隔件。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，移除所述牺牲接触结构以形成所述接触开口的步骤还包括：相对于至少所述内侧壁间隔件，选择性移除所述牺牲接触结构，以形成由所述内侧壁间隔件所限定的所述接触开口。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述最终接触结构于所述接触开口中的步骤还包括：形成所述最终接触结构于所述接触开口中，使得所述最终接触结构实际接触所述内侧壁间隔件。