[发明专利]一种硅集成电路的铟层镀膜机构在审

专利信息
申请号: 201811330043.0 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN109402569A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 王晓伟 申请(专利权)人: 上海利方达真空技术有限公司
主分类号: C23C14/16 分类号: C23C14/16;C23C14/24;C23C14/26;C23C14/50
代理公司: 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 代理人: 谢建玲;符彦慈
地址: 201822 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明为一种硅集成电路的铟层镀膜机构,包括真空室、蒸发源、基片架和中心隔板;真空室的顶端上方设有驱动机构,驱动机构通过传动轴穿入真空室内与基片架连接;真空室的后侧壁上设有主抽气口,主抽气口上设有冷阱,中心隔板的四周通过螺钉固定在真空室的中部内侧壁上,中心隔板的中心开有孔,孔的大小保证束流的入射角度在80°以上;蒸发源包括坩埚、加热丝、热屏蔽罩、不锈钢冷却水套和不锈钢法兰;坩埚的外部设有加热丝,加热丝的外部设有热屏蔽罩,热屏蔽罩的外部设有不锈钢冷却水套,不锈钢冷却水套通过杆件与不锈钢法兰焊接,坩埚的上部设有喷口,蒸发源通过不锈钢法兰设置在真空室内的底部,保证蒸发源的中心与基片架的中心处于同一直线。
搜索关键词: 真空室 蒸发源 不锈钢法兰 冷却水套 热屏蔽罩 中心隔板 基片架 加热丝 坩埚 不锈钢 硅集成电路 驱动机构 主抽气口 镀膜 铟层 外部 室内 螺钉固定 同一直线 传动轴 后侧壁 内侧壁 入射角 穿入 杆件 冷阱 喷口 束流 焊接 保证
【主权项】:
1.一种硅集成电路的铟层镀膜机构,其特征在于,包括:真空室(8)、蒸发源(2)、基片架(1)和中心隔板(3);所述真空室(8)的顶端上方设有驱动机构,驱动机构通过传动轴穿入真空室(8)内与基片架(1)连接,带动基片架(1)旋转;所述真空室(8)的后侧壁上设有主抽气口,主抽气口上设有冷阱;所述中心隔板(3)的四周通过螺钉固定在真空室(8)的中部内侧壁上,所述中心隔板(3)的中心开有孔,所述孔的大小要保证束流的入射角度(6)在80°以上;所述蒸发源(2)包括:坩埚(9)、加热丝(11)、热屏蔽罩(12)、不锈钢冷却水套(13)和不锈钢法兰(14);所述坩埚(9)的外部设有加热丝(11),加热丝(11)的外部设有热屏蔽罩(12),热屏蔽罩(12)的外部设有不锈钢冷却水套(13),所述不锈钢冷却水套(13)通过杆件与不锈钢法兰(14)焊接,所述坩埚(9)的上部设有喷口(10),所述蒸发源(2)通过不锈钢法兰(14)设置在真空室(8)内的底部,保证蒸发源(2)的中心与基片架(1)的中心处于同一直线。
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