[发明专利]一种硅集成电路的铟层镀膜机构在审
申请号: | 201811330043.0 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN109402569A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 王晓伟 | 申请(专利权)人: | 上海利方达真空技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/24;C23C14/26;C23C14/50 |
代理公司: | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人: | 谢建玲;符彦慈 |
地址: | 201822 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明为一种硅集成电路的铟层镀膜机构,包括真空室、蒸发源、基片架和中心隔板;真空室的顶端上方设有驱动机构,驱动机构通过传动轴穿入真空室内与基片架连接;真空室的后侧壁上设有主抽气口,主抽气口上设有冷阱,中心隔板的四周通过螺钉固定在真空室的中部内侧壁上,中心隔板的中心开有孔,孔的大小保证束流的入射角度在80°以上;蒸发源包括坩埚、加热丝、热屏蔽罩、不锈钢冷却水套和不锈钢法兰;坩埚的外部设有加热丝,加热丝的外部设有热屏蔽罩,热屏蔽罩的外部设有不锈钢冷却水套,不锈钢冷却水套通过杆件与不锈钢法兰焊接,坩埚的上部设有喷口,蒸发源通过不锈钢法兰设置在真空室内的底部,保证蒸发源的中心与基片架的中心处于同一直线。 | ||
搜索关键词: | 真空室 蒸发源 不锈钢法兰 冷却水套 热屏蔽罩 中心隔板 基片架 加热丝 坩埚 不锈钢 硅集成电路 驱动机构 主抽气口 镀膜 铟层 外部 室内 螺钉固定 同一直线 传动轴 后侧壁 内侧壁 入射角 穿入 杆件 冷阱 喷口 束流 焊接 保证 | ||
【主权项】:
1.一种硅集成电路的铟层镀膜机构,其特征在于,包括:真空室(8)、蒸发源(2)、基片架(1)和中心隔板(3);所述真空室(8)的顶端上方设有驱动机构,驱动机构通过传动轴穿入真空室(8)内与基片架(1)连接,带动基片架(1)旋转;所述真空室(8)的后侧壁上设有主抽气口,主抽气口上设有冷阱;所述中心隔板(3)的四周通过螺钉固定在真空室(8)的中部内侧壁上,所述中心隔板(3)的中心开有孔,所述孔的大小要保证束流的入射角度(6)在80°以上;所述蒸发源(2)包括:坩埚(9)、加热丝(11)、热屏蔽罩(12)、不锈钢冷却水套(13)和不锈钢法兰(14);所述坩埚(9)的外部设有加热丝(11),加热丝(11)的外部设有热屏蔽罩(12),热屏蔽罩(12)的外部设有不锈钢冷却水套(13),所述不锈钢冷却水套(13)通过杆件与不锈钢法兰(14)焊接,所述坩埚(9)的上部设有喷口(10),所述蒸发源(2)通过不锈钢法兰(14)设置在真空室(8)内的底部,保证蒸发源(2)的中心与基片架(1)的中心处于同一直线。
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