[发明专利]一种硅集成电路的铟层镀膜机构

说明书

本发明为一种硅集成电路的铟层镀膜机构，包括真空室、蒸发源、基片架和中心隔板；真空室的顶端上方设有驱动机构，驱动机构通过传动轴穿入真空室内与基片架连接；真空室的后侧壁上设有主抽气口，主抽气口上设有冷阱，中心隔板的四周通过螺钉固定在真空室的中部内侧壁上，中心隔板的中心开有孔，孔的大小保证束流的入射角度在80°以上；蒸发源包括坩埚、加热丝、热屏蔽罩、不锈钢冷却水套和不锈钢法兰；坩埚的外部设有加热丝，加热丝的外部设有热屏蔽罩，热屏蔽罩的外部设有不锈钢冷却水套，不锈钢冷却水套通过杆件与不锈钢法兰焊接，坩埚的上部设有喷口，蒸发源通过不锈钢法兰设置在真空室内的底部，保证蒸发源的中心与基片架的中心处于同一直线。

技术领域

本发明涉及一种镀膜机构，具体涉及一种用于红外遥感关键部件的硅集成电路的铟层镀膜机构。

背景技术

对于在真空条件下，铟层镀膜的形貌和均匀性是一个很重要的指标，而这两项指标与成膜束流的方向角有直接关系。现有的技术只考虑了蒸发源加热控制的稳定性，铟层镀膜均匀性具有局限性。本发明在原有的基础上，考虑了关键部件选用，及特殊的结构设计，提出了一种硅集成电路的铟层镀膜机构，进一步提高了镀膜的质量。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种结构设计合理，适用于在真空室内铟层镀膜的机构，改善束流的方向性，提高镀膜均匀性。

为达到以上目的，本发明采取的技术方案是：

一种硅集成电路的铟层镀膜机构，包括：真空室8、蒸发源2、基片架1和中心隔板3；

所述真空室8的顶端上方设有驱动机构，驱动机构通过传动轴穿入真空室8内与基片架1连接，带动基片架1旋转；所述真空室8的后侧壁上设有主抽气口，主抽气口上设有冷阱。

所述中心隔板3的四周通过螺钉固定在真空室8的中部内侧壁上，所述中心隔板3的中心开有孔，所述孔的大小要保证束流的入射角度6在80°以上；

所述蒸发源2包括：坩埚9、加热丝11、热屏蔽罩12、不锈钢冷却水套13和不锈钢法兰14；所述坩埚9的外部设有加热丝11，加热丝11的外部设有热屏蔽罩12，热屏蔽罩12的外部设有不锈钢冷却水套13，所述不锈钢冷却水套13通过杆件与不锈钢法兰14焊接，所述坩埚9的上部设有喷口10，所述蒸发源2通过不锈钢法兰14设置在真空室8内的底部，保证蒸发源2的中心与基片架1的中心处于同一直线。

在上述方案的基础上，所述主抽气口与低温泵4连接，主抽气口与低温泵4之间设有闸板阀15，所述真空室8还与机械泵5连接，真空室8与机械泵5之间设有角阀16。

在上述方案的基础上，所述坩埚9的形状为筒形。

在上述方案的基础上，所述坩埚9为PBN材质制成的坩埚。

在上述方案的基础上，所述加热丝11为Ta材质制成的加热丝。

在上述方案的基础上，所述热屏蔽罩12为Ta材质制成的热屏蔽罩。

在上述方案的基础上，所述基片架1用于放置基片。

在上述方案的基础上，所述工作距离7的计算公式为：tg(入射角度)＝1/2*基片直径/工作距离。

有益效果：本发明提供的铟层镀膜结构与现有技术相比具有以下优点：

本发明提供的铟层镀膜机构，机构设计合理，在传统真空镀膜的模式下，通过合理的关键部件选用，以及特殊的结构设计，保证镀膜的方向角相对准确，可以进行成膜形貌为接近圆柱形的镀膜，并且使得成膜均匀性有显著性提高。

附图说明

本发明有如下附图：

图1为本发明的结构示意图。