[发明专利]金属导电结构及半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201811326530.X | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111162039A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 詹鹏 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属导电结构及半导体器件的制备方法，通过一步制程的方式，在同一反应腔内连续完成金属阻挡层和金属填充层的沉积，能够减少制程步数、提高生产效率以及降低生产成本。例如当所述金属导电结构为钨接触插塞时，本发明的方案，能够将现有的钨接触插塞制造中的WNx和W的两步制程沉积进行减少为WNx+W的一步连续沉积制程，从而避免两步制程中更换反应腔的操作及因更换反应腔而产生的排队等待时间，大大提高产品的生产效率，并降低生产成本。此外，当金属导电结构为钨接触插塞时，金属阻挡层为氮化钨，可以起到比传统TiN阻挡层更好的阻挡铜扩散效果，能有效减少铜扩散造成器件失效的现象发生，提高器件的良率和工作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 导电 结构 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
