[发明专利]一种离子注入装置在审
| 申请号： | 201811325251.1 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111161989A | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 彭立波;邓坎;王迪平;胡振东;袁卫华;许波涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入装置，包括旋转靶盘及宽带离子束，所述旋转靶盘上设有与旋转靶盘中心重合的环形注入区域，所述环形注入区域内均匀布置有多个晶圆装载区，所述宽带离子束的宽度为a、所述环形注入区域的半径为b，则a≥b。本发明具有能够降低在大剂量注入、高产能的应用场景下的晶片表面的温升，满足一些对温度敏感的特殊材料的注入工艺要求的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
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