[发明专利]耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液在审
申请号: | 201811321184.6 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN109962053A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 黑坂成吾;小田幸典 | 申请(专利权)人: | 上村工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/373;H01L23/29;H01L21/48;C23C18/36 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于,提供:即使进行高温侧200℃以上的TCT也防止覆膜中产生裂纹的耐热用功率模块基板、耐热用镀覆膜和镀液。一种耐热用功率模块基板,其特征在于,其为用于搭载产生最高到300℃的高热的功率半导体的耐热用功率模块基板,所述功率模块基板至少具备:基材,其由氧化铝、氮化铝或氮化硅形成;电路,其直接形成于前述基材上或借助钎料形成于前述基材上,且由铜或铝形成;和,镀覆膜,其形成于前述电路表面,前述镀覆膜为化学镀镍‑磷‑钼覆膜,前述镀覆膜中的磷的含有率为10.5~13重量%。 | ||
搜索关键词: | 耐热 功率模块 镀覆 基板 基材 镀液 覆膜 功率半导体 电路表面 化学镀镍 直接形成 氮化硅 氮化铝 铝形成 氧化铝 高热 钎料 电路 | ||
【主权项】:
1.一种耐热用功率模块基板,其特征在于,其为用于搭载产生最高到300℃的高热的功率半导体的耐热用功率模块基板,所述功率模块基板至少具备:基材,其由氧化铝、氮化铝或氮化硅形成;电路,其直接形成于所述基材上或借助钎料形成于所述基材上,且由铜或铝形成;和,镀覆膜,其形成于所述电路表面,所述镀覆膜为化学镀镍‑磷‑钼覆膜,所述镀覆膜中的磷的含有率为10.5~13重量%。
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