[发明专利]用分子反应性清扫气体改善DC偏置的缺陷控制和稳定性有效
| 申请号： | 201811319771.1 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110098100B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·奥古斯蒂尼克;克里斯托弗·詹姆斯·拉萨亚;辛格尔·N·阿希尔;卡里姆·布马塔尔;阿鲁尔·迪哈斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/505 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用分子反应性清扫气体改善DC偏置的缺陷控制和稳定性。一种衬底处理系统包括设置在处理室内的上电极和下电极。气体输送系统选择性地输送前体、一种或多种沉积载气和后沉积清扫气体中的至少一种。RF产生系统在所述气体输送系统输送所述前体和一种或多种沉积载气时，通过提供RF电压到所述上电极和所述下电极中的一个而在所述处理室内在所述上电极和所述下电极之间产生RF等离子体，从而在所述衬底上沉积膜。偏置产生电路在所述气体输送系统输送所述后沉积清扫气体时，选择性地提供DC偏置电压到所述上电极和所述下电极中的一个。由所述气体输送系统输送的所述后沉积清扫气体包括分子反应气体。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 反应 清扫 气体 改善 dc 偏置 缺陷 控制 稳定性 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底处理系统中处理衬底的方法，包括：选择性地将前体、沉积载气和后沉积清扫气体中的至少一种输送到处理室；在提供RF电压到上电极和下电极中的一个并且输送所述前体和所述沉积载气时，通过在所述处理室内在所述上电极和所述下电极之间产生射频(RF)等离子体而在所述衬底上沉积膜；选择性地提供直流(DC)偏置电压到所述上电极和所述下电极中的所述一个；在所述DC偏置电压产生时相对于支撑所述衬底的基座移动所述衬底；和在将所述DC偏置电压的至少一部分提供到所述上电极和所述下电极中的所述一个时输送所述后沉积清扫气体。
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