[发明专利]用分子反应性清扫气体改善DC偏置的缺陷控制和稳定性

权利要求书

1.一种在衬底处理系统中处理衬底的方法，包括：

选择性地将前体气体、一或多种沉积载气和后沉积清扫气体中的至少一种输送到处理室；

在输送所述前体气体和所述一或多种沉积载气时，通过在所述处理室内在上电极和下电极之间产生射频等离子体而在所述衬底上沉积膜；

选择性地提供直流偏置电压到所述上电极和所述下电极中的一个；

在将所述直流偏置电压的至少一部分提供到所述上电极和所述下电极中的所述一个时输送所述后沉积清扫气体，

其中，所述后沉积清扫气体包括分子反应气体并且不包括惰性气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述后沉积清扫气体选自所述一或多种沉积载气。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在从0.2乇到6乇的处理压强下，所述后沉积清扫气体比氦和氩具有较高的击穿电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述直流偏置电压的开始初始化所述射频等离子体熄灭前的第一预定时间段或所述射频等离子体熄灭后的第二预定时间段。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述直流偏置电压产生时将所述衬底换位。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述射频等离子体熄灭之前产生所述直流偏置电压并且在随后的射频等离子体被激励之前结束所述直流偏置电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括连续地产生所述直流偏置电压，但不包括在所述射频等离子体被激励时的时间段。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述膜选自由无氮抗反射膜、非晶硅、可灰化硬掩模、氮化硅、二氧化硅和碳氧化硅组成的组。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多种沉积载气选自由二氧化碳、氦、氢分子、氮分子、氨和一氧化二氮组成的组。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述后沉积清扫气体选自由二氧化碳、氢分子和氮分子组成的组。