[发明专利]一种疏水快干型硅片承载器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811316825.9 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110176421B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘哲伟;朱道峰;王国华;陆长征;张宝庆;李海楠;马南;胡笑岩;肖雪 | 申请（专利权）人： | 北京市塑料研究所 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 100009 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备技术领域，特别涉及一种表面疏水，能够被快速干燥的硅片承载器及其制备方法。本发明公开了一种疏水快干型硅片承载器及其制备方法，所述疏水快干功能以在承载器表面制造出微纳结构来实现，所述微纳结构制造方法为：在52～97.5份聚偏氟乙烯树脂中加入1～30份碳纤维，1～10份炭黑，0.5～8份石墨烯，混合后，经双螺杆挤出，造粒，并以所造粒子为原料，经注射或挤出成型，所用注射模具表面经刻蚀处理，形成合适的粗糙表面。硅片承载器可以经过注射一次成型，也可以经过焊接、组装成型。制备的疏水硅片承载器可以减少清洗中的酸和碱混合，增加清洗液效果，另外减少干燥时间，节约能源，提高硅片表面清洁程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 快干 硅片 承载 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种疏水快干型硅片承载器，其特征在于：硅片承载器表面制造有微纳结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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