[发明专利]一种疏水快干型硅片承载器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811316825.9 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110176421B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 刘哲伟;朱道峰;王国华;陆长征;张宝庆;李海楠;马南;胡笑岩;肖雪 | 申请（专利权）人： | 北京市塑料研究所 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 100009 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 快干 硅片 承载 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种疏水快干型硅片承载器，其特征在于：硅片承载器表面制造有微纳结构；
所述硅片承载器以造粒后含有碳纤维、炭黑和石墨烯的聚偏氟乙烯粒子为原料注射成型得到；
所述碳纤维、炭黑和石墨烯在塑料基体中有部分凸起或凹陷，形成所述微纳结构。
所述造粒后含有碳纤维、炭黑和石墨烯的聚偏氟乙烯粒子通过以下步骤制备得到：
在52～97.5份聚偏氟乙烯树脂原料中加入1～30份碳纤维，1～10份炭黑，0.5～8份石墨烯，混合后，经双螺杆挤出，造粒。
2.根据权利要求1所述的疏水快干型硅片承载器，其特征在于：注射模具的表面经刻蚀处理，刻蚀方法为激光刻蚀、电火花处理或酸腐蚀处理。
3.根据权利要求1所述的疏水快干型硅片承载器，其特征在于：硅片承载器拉杆以造粒后含有碳纤维、炭黑和石墨烯的聚偏氟乙烯粒子为原料，注射成型得到；注射模具经过表面经刻蚀处理后进行注射。
4.根据权利要求1所述的疏水快干型硅片承载器，其特征在于：硅片承载器端板以造粒后含有碳纤维、炭黑和石墨烯的聚偏氟乙烯粒子为原料，注射成型得到；注射模具经过表面经刻蚀处理后进行注射。
5.根据权利要求1所述的疏水快干型硅片承载器，其特征在于：硅片承载器经过注射一次成型，或经过焊接、组装成型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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