[发明专利]半导体装置结构的形成方法有效
| 申请号： | 201811314088.9 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110034180B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 萧怡瑄;古淑瑗;洪志昌;杨宜伟;孙志铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一虚设栅极堆叠和一第二虚设栅极堆叠于一半导体基板之上；形成一介电层于半导体基板之上以围绕第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠；移除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成一第一沟槽和一第二沟槽于介电层中；分别形成一第一金属栅极堆叠和一第二金属栅极堆叠于第一沟槽和第二沟槽中；部分地移除第一金属栅极堆叠、第二金属栅极堆叠、和介电层以形成一凹陷，其中凹陷穿过第一金属栅极堆叠和第二金属栅极堆叠；以及形成一绝缘结构以至少部分地填充凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一虚设栅极堆叠和一第二虚设栅极堆叠于一半导体基板之上；形成一介电层于该半导体基板之上，以围绕该第一虚设栅极堆叠和该第二虚设栅极堆叠；移除该第一虚设栅极堆叠和该第二虚设栅极堆叠，以形成一第一沟槽和一第二沟槽于该介电层中；分别形成一第一金属栅极堆叠和一第二金属栅极堆叠于该第一沟槽和该第二沟槽中；部分地移除该第一金属栅极堆叠、该第二金属栅极堆叠、和该介电层，以形成一凹陷，其中该凹陷穿过该第一金属栅极堆叠和该第二金属栅极堆叠；以及形成一绝缘结构以至少部分地填充该凹陷。
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