[发明专利]半导体装置结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：

形成一第一虚设栅极堆叠和一第二虚设栅极堆叠于一半导体基板之上；

形成一介电层于该半导体基板之上，以围绕该第一虚设栅极堆叠和该第二虚设栅极堆叠；

移除该第一虚设栅极堆叠和该第二虚设栅极堆叠，以形成一第一沟槽和一第二沟槽于该介电层中；

分别形成一第一金属栅极堆叠和一第二金属栅极堆叠于该第一沟槽和该第二沟槽中；

部分地移除该第一金属栅极堆叠、该第二金属栅极堆叠、和该介电层，以形成一凹陷，其中该凹陷穿过该第一金属栅极堆叠和该第二金属栅极堆叠；以及

形成一绝缘结构以至少部分地填充该凹陷，其中该绝缘结构具有一第一部分位于该金属栅极堆叠的两部分之间、一第二部分位于该第二金属栅极堆叠的两部分之间、及一第三部分连接该第一部分和该第二部分。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，还包括在形成该第一虚设栅极堆叠和该第二虚设栅极堆叠之前，形成一隔离部件于该半导体基板之上，其中该凹陷延伸至该隔离部件中。

3.如权利要求2所述的半导体装置结构的形成方法，其中比起延伸至该隔离部件的一第二部分中，该凹陷更深地延伸至该隔离部件的一第一部分中。

4.如权利要求2所述的半导体装置结构的形成方法，还包括过蚀刻该第一金属栅极堆叠、该第二金属栅极堆叠、和该介电层，使得该凹陷延伸至该隔离部件中。

5.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中利用一蚀刻工艺形成该凹陷，且用于该蚀刻工艺中的反应气体包括BCl₃、Cl₂、SiCl₄或前述的组合。

6.如权利要求5所述的半导体装置结构的形成方法，还包括形成一掩模层于该介电层、该第一金属栅极堆叠和该第二金属栅极堆叠之上，其中该掩模层具有部分地暴露出该第一金属栅极堆叠、该第二金属栅极堆叠、和该介电层的一开口。

7.如权利要求6所述的半导体装置结构的形成方法，其中该开口的一俯视图为椭圆形或矩形。

8.如权利要求5所述的半导体装置结构的形成方法，其中该蚀刻工艺以一第一速率蚀刻该第一金属栅极堆叠，并以一第二速率蚀刻该介电层，且该第一速率大于该第二速率。

9.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，其中该绝缘结构和该介电层是由不同的材料制成。

10.如权利要求1所述的半导体装置结构的形成方法，还包括在形成该第一虚设栅极堆叠和该第二虚设栅极堆叠之前，形成一第一半导体鳍片和一第二半导体鳍片于该半导体基板之上，其中该第一虚设栅极堆叠和该第二虚设栅极堆叠覆盖部分的该第一半导体鳍片和该第二半导体鳍片。

11.一种半导体装置结构的形成方法，包括：

形成一隔离部件于一半导体基板之上；

形成一介电层于该半导体基板和该隔离部件之上；

形成一第一金属栅极堆叠线和一第二金属栅极堆叠线于该半导体基板之上，其中该介电层围绕该第一金属栅极堆叠线和该第二金属栅极堆叠线；

形成一开口，使得该第一金属栅极堆叠线和该第二金属栅极堆叠线中的每一个被分为至少两个单独的金属栅极堆叠；以及

形成一绝缘结构于该开口中，其中该绝缘结构具有一第一部分位于该第一金属栅极堆叠线的两部分之间、一第二部分位于该第二金属栅极堆叠线的两部分之间、及一第三部分连接该第一部分和该第二部分。

12.如权利要求11所述的半导体装置结构的形成方法，其中该开口延伸至该第一金属栅极堆叠线和该第二金属栅极堆叠线之间的该介电层中。