[发明专利]像素单元、图像传感器及其制造方法以及成像装置在审
| 申请号： | 201811310220.9 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109141632A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张超;黄心怡 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/42 | 分类号： | G01J1/42;G01J1/44;H04N5/225;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张荣海 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种图像传感器，包括像素阵列，其特征在于，所述像素阵列包括交替分布的第一像素单元和第二像素单元，第一像素单元包括：第一辐射感测元件，用于感测第一波长范围的辐射；和第二辐射感测元件，用于感测与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中，第一辐射感测元件与第二辐射感测元件分隔开。第二像素单元包括：第三辐射感测元件，用于感测第三波长范围的辐射，第三波长范围不同于第一波长范围和第二波长范围；和第四辐射感测元件，用于感测第二波长范围的辐射，其中，第三辐射感测元件与第四辐射感测元件分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 感测元件 波长 辐射 像素单元 感测 图像传感器 像素阵列 分隔 成像装置 交替分布 制造 | ||
【主权项】：
1.一种像素单元，其特征在于，包括：第一辐射感测元件，用于感测第一波长范围的辐射；和第二辐射感测元件，用于感测与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射，其中，第一辐射感测元件与第二辐射感测元件分隔开。
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