[发明专利]像素单元、图像传感器及其制造方法以及成像装置在审
| 申请号: | 201811310220.9 | 申请日: | 2018-11-06 | 
| 公开(公告)号: | CN109141632A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 | 
| 发明(设计)人: | 张超;黄心怡 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 | 
| 主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;G01J1/44;H04N5/225;H04N5/335 | 
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张荣海 | 
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 感测元件 波长 辐射 像素单元 感测 图像传感器 像素阵列 分隔 成像装置 交替分布 制造 | ||
1.一种像素单元,其特征在于,包括:
第一辐射感测元件,用于感测第一波长范围的辐射;和
第二辐射感测元件,用于感测与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射,其中,第一辐射感测元件与第二辐射感测元件分隔开。
2.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,还包括:
位于所述第一辐射感测元件的上方的辐射过滤器,所述辐射过滤器允许第一波长范围和第二波长范围的辐射通过并滤除第三波长范围的辐射,所述第三波长范围不同于所述第一波长范围和所述第二波长范围。
3.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于:
所述第一辐射感测元件形成在第一衬底中,所述第二辐射感测元件形成在与所述第一衬底分离的第二衬底中,以及所述第一辐射感测元件位于所述第二辐射感测元件上方。
4.根据权利要求3所述的像素单元,其特征在于,还包括:
形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间的光管,所述光管将所述第一辐射感测元件与所述第二辐射感测元件分隔开。
5.根据权利要求2所述的像素单元,其特征在于,所述辐射是可见光,以及
所述第一波长范围包括绿光和蓝光中的任一个的波长,所述第二波长范围包括红光的波长,以及所述第三波长范围包括绿光和蓝光中的另一个的波长。
6.根据权利要求1所述的像素单元,其特征在于,还包括:
第一电荷累积元件,用于累积由第一辐射感测元件产生的电荷;和
第二电荷累积元件,用于累积由第二辐射感测元件产生的电荷。
7.一种图像传感器,包括像素阵列,其特征在于,所述像素阵列包括交替分布的第一像素单元和第二像素单元,
第一像素单元包括:
第一辐射感测元件,用于感测第一波长范围的辐射;和
第二辐射感测元件,用于感测与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射,其中,第一辐射感测元件与第二辐射感测元件分隔开,
第二像素单元包括:
第三辐射感测元件,用于感测第三波长范围的辐射,第三波长范围不同于第一波长范围和第二波长范围;和
第四辐射感测元件,用于感测第二波长范围的辐射,其中,第三辐射感测元件与第四辐射感测元件分隔开。
8.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,
所述第一像素单元还包括:
位于所述第一辐射感测元件上方的辐射过滤器,该辐射过滤器允许第一波长范围和第二波长范围的辐射通过并滤除第三波长范围的辐射,以及
所述第二像素单元还包括:
位于所述第三辐射感测元件上方的辐射过滤器,该辐射过滤器允许第三波长范围和第二波长范围的辐射通过并滤除第一波长范围的辐射。
9.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于:
所述第一辐射感测元件和第三辐射感测元件形成在第一衬底中,以及所述第二辐射感测元件和第四辐射感测元件形成在与所述第一衬底分离的第二衬底中,第一辐射感测元件位于第二辐射感测元件上方,以及第三辐射感测元件位于第四辐射感测元件上方。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间的光管,所述光管将所述第一辐射感测元件与所述第二辐射感测元件分隔开,并且将所述第三辐射感测元件与所述第四辐射感测元件分隔开。
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