[发明专利]包括含相变材料的板载非易失性存储器的芯片在审
| 申请号： | 201811308746.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109768012A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | F·亚瑙德;D·加尔平;S·佐尔;O·欣西格;L·法韦内克;J-P·奥杜;L·布劳苏斯;P·波伊文;O·韦伯;P·布龙;P·莫林 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（格勒诺布尔2）公司;意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/367;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及包括含相变材料的板载非易失性存储器的芯片。电子芯片包括由相变材料和晶体管制成的存储单元。第一和第二通孔从晶体管穿过中间绝缘层延伸到相同高度。包括与第一通孔接触的第一互连迹线的第一金属层级位于中间绝缘层之上。用于加热相变材料的加热元件位于第二通孔上，并且相变材料位于加热元件上。包括第二互连迹线的第二金属层级位于相变材料上方。第三通孔从相变材料延伸到第二互连迹线。 | ||
| 搜索关键词： | 相变材料 通孔 互连迹线 非易失性存储器 中间绝缘层 加热元件 金属层级 晶体管 板载 芯片 加热相变材料 存储单元 电子芯片 延伸 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子芯片的方法，所述电子芯片包含存储单元和晶体管，所述存储单元包括相变材料，所述方法包括：a)形成第一金属层级，所述第一金属层级包括延伸穿过第一绝缘层的第一互连迹线；以及b)针对每个存储单元，形成加热元件，所述加热元件被配置为加热所述第一金属层级中的所述相变材料、并且延伸为与所述第一绝缘层的一部分的侧面相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
