[发明专利]包括含相变材料的板载非易失性存储器的芯片

权利要求书

1.一种制造电子芯片的方法，所述电子芯片包含存储单元和晶体管，所述存储单元包括相变材料，所述方法包括：

a)形成第一金属层级，所述第一金属层级包括延伸穿过第一绝缘层的第一互连迹线；以及

b)针对每个存储单元，形成加热元件，所述加热元件被配置为加热所述第一金属层级中的所述相变材料、并且延伸为与所述第一绝缘层的一部分的侧面相邻。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在步骤a)之前，形成所述晶体管、以及从所述晶体管的端子延伸并到达第一高度的第一通孔和第二通孔，其中所述第一金属层级的所述第一互连迹线在所述第一高度处与所述第一通孔接触，并且其中所述加热元件在所述第一高度处与所述第二通孔接触。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在步骤b)之后，在所述加热元件上形成每个存储单元的所述相变材料。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在步骤b)之后：

形成第二金属层级，所述第二金属层级包括第二互连迹线、并且位于所述相变材料上方；以及

形成第三通孔，所述第三通孔从所述相变材料延伸到所述第二互连迹线。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在步骤a)和步骤b)之间，在所述第一互连迹线上沉积保护层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述保护层由氮化硅制成。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一绝缘层之上沉积第二绝缘层，所述第二绝缘层环绕所述相变材料；

蚀刻延伸穿过所述第二绝缘层的沟槽；以及

用导电材料填充所述沟槽，以与所述第一互连迹线和所述相变材料电接触。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一绝缘层中蚀刻开口，以提供所述第一绝缘层的所述部分的所述侧面；以及

在所述侧面上形成第一间隔件；以及

其中形成所述加热元件包括：在所述第一间隔件的侧面上沉积加热元件材料。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

形成覆盖所述加热元件材料的第二间隔件；

蚀刻所述第一间隔件、所述第二间隔件和所述加热元件材料，以制造包括个性化的加热元件的结构；以及

用保护层覆盖所述结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述结构包括在所述第一间隔件和所述第二间隔件的厚度的方向上延伸的带，所述带包括位于所述第一间隔件和所述第二间隔件的部分之间的所述加热元件，其中所述带的宽度小于30nm。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：环绕所述结构沉积热绝缘体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中每个热绝缘体都由从由氧化硅和碳氧化硅组成的组中选择的材料制成，并且其中所述第一间隔件和所述第二间隔件由从由氮化硅和碳氮化硅组成的组中选择的材料制成。

13.一种电子芯片，包括：

存储单元，包括相变材料；

第一金属层级，包括穿过第一绝缘层的第一互连迹线；以及

加热元件，被配置为加热所述相变材料，所述加热元件被定位为与所述第一绝缘层的部分的侧面相邻。

14.根据权利要求13所述的电子芯片，其中所述第一互连迹线填充穿过所述第一绝缘层的沟槽。

15.根据权利要求13所述的电子芯片，其中：

所述第一互连迹线通过第一通孔连接至晶体管的端子；

所述相变材料位于所述加热元件上；以及

所述加热元件通过第二通孔连接至所述晶体管的端子。