[发明专利]一种直拉法引晶方法在审
| 申请号： | 201811308065.7 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111139520A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 邓先亮 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种直拉法引晶方法，包括步骤：提供一硅熔体和一籽晶，所述硅熔体的液面处于第一液面位置；将所述籽晶浸入所述硅熔体中，并将所述籽晶向上提拉并旋转以从所述硅熔体的液面上引出细晶；在所述引出细晶的过程中，当所述细晶的长度达到预定值时，将所述硅熔体的液面提升至第二液面位置，所述第二液面位置高于所述第一液面位置。本发明的一种直拉法引晶方法具有降低籽晶在引晶过程中的温度差，降低由于温差引起的位错，从而提高引晶成功率，节约长晶成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直拉法引晶 方法 | ||
【主权项】：
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