[发明专利]一种直拉法引晶方法在审
| 申请号： | 201811308065.7 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111139520A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 邓先亮 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直拉法引晶 方法 | ||
1.一种直拉法引晶方法，其特征在于，包括步骤：
提供一硅熔体和一籽晶，所述硅熔体的液面处于第一液面位置；
将所述籽晶浸入所述硅熔体中，并将所述籽晶向上提拉并旋转以从所述硅熔体的液面上引出细晶；
在所述引出细晶的过程中，当所述细晶的长度达到排除位错的预定值时，将所述硅熔体的液面提升至第二液面位置，所述第二液面位置高于所述第一液面位置。
2.根据权利要求1所述的一种直拉法引晶方法，其特征在于：所述第一液面位置与热屏之间的距离介于60mm～70mm之间，所述第二液面位置与热屏之间的距离介于35mm～70mm之间。
3.根据权利要求1所述的一种直拉法引晶方法，其特征在于：将所述硅熔体的液面提升至所述第二液面位置的速度介于0.1mm/min～2mm/min之间。
4.根据权利要求1所述的一种直拉法引晶方法，其特征在于：所述细晶的长度介于200mm～400mm之间以排除位错。
5.根据权利要求1所述的一种直拉法引晶方法，其特征在于：所述细晶的直径介于4mm～6mm之间。
6.根据权利要求1所述的一种直拉法引晶方法，其特征在于：所述籽晶相对于所述硅熔体的液面向上提拉的速度介于1mm/min～5mm/min。
7.根据权利要求1所述的一种直拉法引晶方法，其特征在于：所述引晶过程中加热器的温度变化介于-6℃～+10℃之间。
8.根据权利要求1所述的一种直拉法引晶方法，其特征在于：所述籽晶向上提拉时旋转的转速介于6rpm～15rpm之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811308065.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种支撑装置
- 下一篇：半导体器件结构及其制备方法
