[发明专利]用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法有效

专利信息
申请号: 201811307552.1 申请日: 2018-11-05
公开(公告)号: CN109596290B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 朱军华;黄钦文;董显山;恩云飞;刘人怀 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: G01M5/00 分类号: G01M5/00;G01B11/02;G01B11/06
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 陈金普
地址: 511300 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法。提供了一种用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法,包括:获取MEMS微梁的结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数;根据结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数,确定间隙距离的第一估计值;获取施加偏置电压后MEMS微梁的第二高度和第二固有频率;根据结构参数、吸合电压、偏置电压、第二高度、第二固有频率、振型函数以及第一估计值,确定间隙距离的第二估计值;根据MEMS微梁的结构参数、振型函数、第二估计值、第二高度以及吸合电压或第一固有频率,确定MEMS微梁的杨氏模量。上述方法能够在微梁厚度未知的情况下测量微梁材料的杨氏模量,实现杨氏模量的高精度无损原位测量。
搜索关键词: 用于 原位 测量 mems 材料 杨氏模量 方法
【主权项】:
1.一种用于原位测量MEMS微梁材料的杨氏模量的方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S100,获取所述MEMS微梁的结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数,所述结构参数包括所述MEMS微梁的长度、宽度和第一高度,其中,所述第一高度和所述第一固有频率分别为未在所述MEMS微梁和所述底部电极之间施加偏置电压时所述MEMS微梁的高度和固有频率,所述高度为所述MEMS微梁的上表面与位于所述MEMS微梁下方的底部电极的上表面之间的距离;步骤S200,根据所述MEMS微梁的结构参数、吸合电压、第一固有频率和振型函数,确定所述MEMS微梁与所述底部电极之间的间隙距离的第一估计值;步骤S300,获取在所述MEMS微梁和所述底部电极之间施加偏置电压后的所述MEMS微梁的第二高度和第二固有频率;步骤S400,根据所述MEMS微梁的结构参数、吸合电压、偏置电压、第二高度、第二固有频率、振型函数以及第一估计值,确定所述间隙距离的第二估计值;步骤S500,根据所述MEMS微梁的结构参数、振型函数、第二估计值、第二高度以及吸合电压或第一固有频率,确定所述MEMS微梁的杨氏模量。
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