[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板在审
| 申请号： | 201811294945.3 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109449166A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 崔贤植 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。用以减小公共电极电阻，同时解决了相关技术中为了减小公共电极电阻而使得制作工艺复杂和产品不良率升高的问题。本发明实施例提供一种阵列基板，包括：衬底、依次设置于所述衬底上且位于显示区的每个子像素中的栅极、源极和漏极、公共电极、钝化层和像素电极；所述阵列基板还包括公共电极线，所述公共电极线与所述源极和漏极同层同材料，且所述公共电极与所述公共电极线直接接触；所述像素电极与所述漏极通过所述钝化层上的过孔电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 公共电极 阵列基板 公共电极线 漏极 显示面板 像素电极 钝化层 衬底 电阻 减小 源极 制备 依次设置 制作工艺 不良率 电连接 同材料 显示区 子像素 同层 升高 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底、依次设置于所述衬底上且位于显示区的每个子像素中的栅极、源极和漏极、公共电极、钝化层和像素电极；所述阵列基板还包括公共电极线，所述公共电极线与所述源极和漏极同层同材料，且所述公共电极与所述公共电极线直接接触；所述像素电极与所述漏极通过所述钝化层上的过孔电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
