[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示面板在审
| 申请号: | 201811294945.3 | 申请日: | 2018-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN109449166A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
| 发明(设计)人: | 崔贤植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 公共电极 阵列基板 公共电极线 漏极 显示面板 像素电极 钝化层 衬底 电阻 减小 源极 制备 依次设置 制作工艺 不良率 电连接 同材料 显示区 子像素 同层 升高 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底、依次设置于所述衬底上且位于显示区的每个子像素中的栅极、源极和漏极、公共电极、钝化层和像素电极;
所述阵列基板还包括公共电极线,所述公共电极线与所述源极和漏极同层同材料,且所述公共电极与所述公共电极线直接接触;
所述像素电极与所述漏极通过所述钝化层上的过孔电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极覆盖部分所述公共电极线。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括多条栅线和多条数据线,每条栅线和与沿该栅线的延伸方向排布的一排子像素中的所述栅极电连接,每条数据线和与该数据线的延伸方向排布的一排子像素中的所述源极电连接;
所述阵列基板还包括屏蔽线,所述屏蔽线在衬底上的正投影覆盖所述多条栅线和/或所述多条数据线。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述屏蔽线与所述像素电极同层同材料。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括多条数据线,每条数据线和与该数据线的延伸方向排布的一排子像素中的所述源极电连接;
所述公共电极线为多条,且所述公共电极线与所述数据线平行;每条所述公共电极线和与该公共电极线的延伸方向排布的一排子像素中的所述公共电极电连接;
所述阵列基板还包括周边区,所述周边区设置有公共电极辅助线,所述公共电极辅助线与所述公共电极线电连接,以使所有子像素中的所述公共电极电连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极为狭缝电极,所述公共电极为板状电极或狭缝电极。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上且位于显示区的每个子像素中依次形成栅极、源极和漏极、公共电极、钝化层和像素电极;
所述阵列基板的制备方法还包括形成公共电极线,所述公共电极线与所述源极和漏极通过同一次构图工艺形成,且所述公共电极与所述公共电极线直接接触;
所述像素电极与所述漏极通过所述钝化层上的过孔电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述公共电极覆盖部分所述公共电极线。
10.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,还包括形成多条栅线和多条数据线,每条栅线和与沿该栅线的延伸方向排布的一排子像素中的所述栅极电连接,每条数据线和与该数据线的延伸方向排布的一排子像素中的所述源极电连接;
所述阵列基板的制备方法还包括形成屏蔽线,所述屏蔽线在衬底上的正投影覆盖所述多条栅线和/或所述多条数据线;所述屏蔽线与所述像素电极通过同一次构图工艺形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811294945.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性阵列基板及其制备方法、显示面板
- 下一篇:一种显示面板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





