[发明专利]晶体硅片表面金字塔绒面制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，属于新材料领域。本发明可以在晶体硅表面制备大面积微纳米尺度金字塔阵列绒面结构，所制备的微纳米正金字塔密度大、表面光滑，可以显著增加硅片表面对光的吸收。本发明制备金字塔绒面工艺简单，成本低廉，可大规模用于太阳能电池等应用。

主权项

1.晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行，(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氯化锂和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；(2)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氯化锰和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；(3)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氯化铁和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；(4)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氢溴酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；(5)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氢碘酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20‑90℃下反应10‑100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗。