[发明专利]晶体硅片表面金字塔绒面制备方法

权利要求书

1.晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行，

(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氯化锂和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；

(2)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氯化锰和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；

(3)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氯化铁和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；

(4)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氢溴酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗；

(5)将表面清洁的晶体硅片放入含有铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)、氢碘酸和氢氟酸混合溶液的容器中，在20-90℃下反应10-100分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔绒面，然后将腐蚀后的硅片放入硝酸或王水溶液里面浸泡去掉表面残存的铜颗粒并用去离子水清洗。

2.根据权利要求1所述的晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，所述步骤(2)中的铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)浓度为0.001-0.1mol/L，氯化锂浓度为0.5-5.0mol/L，氢氟酸浓度为1-10mol/L。

3.根据权利要求1所述的晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，所述步骤(4)中的铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)浓度为0.001-0.1mol/L，氯化锰浓度为0.5-4.0mol/L，氢氟酸浓度为1-10mol/L。

4.根据权利要求1所述的晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，所述步骤(1)中的铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)浓度为0.001-0.1mol/L，氯化铁浓度为0.05-2.0mol/L，氢氟酸浓度为1-10mol/L。

5.根据权利要求1所述的晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，所述步骤(5)中的铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)浓度为0.001-0.1mol/L，氢溴酸浓度为0.5-5.0mol/L，氢氟酸浓度为1-10mol/L。

6.根据权利要求1所述的晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，所述步骤(5)中的铜盐(氯化铜/硫酸铜/硝酸铜)浓度为0.001-0.1mol/L，氢碘酸浓度为0.5-5.0mol/L，氢氟酸浓度为1-10mol/L。

7.根据权利要求1所述的晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，所述硅片既可以是单晶硅片又可以是多晶硅片。

8.根据权利要求1所述的晶体硅片表面金字塔绒面制备方法，所述步骤(1)、(2)、(3)、(4)和(5)得到的微纳金字塔绒面可用于硅太阳能电池等应用。