[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 201811292551.4 | 申请日: | 2018-11-01 | 
| 公开(公告)号: | CN109755276A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 | 
| 发明(设计)人: | 李定勳;李承珪;郭源奎;李元世 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 | 
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;韩芳 | 
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 | 
| 摘要: | 本发明提供了一种显示设备,该显示设备包括:第一薄膜晶体管(TFT),设置在第一像素区域中,并且包括第一半导体层和第一栅电极,其中,第一半导体层包括第一源区和第一漏区;第二TFT,设置在与第一像素区域相邻的第二像素区域中,并且包括第二半导体层和第二栅电极,其中,第二半导体层包括第二源区和第二漏区;第一像素电极,设置在第一像素区域中,并且包括设置有第一发光层的第一区域和从第一区域延伸并设置在第一通孔上的第二区域;以及第二像素电极,设置在第二像素区域中并且包括设置有第二发光层的第三区域和从第三区域延伸并设置在第二通孔上的第四区域。 | ||
| 搜索关键词: | 像素区域 半导体层 显示设备 第一区域 像素电极 发光层 栅电极 漏区 通孔 源区 薄膜晶体管 第二区域 区域延伸 延伸 | ||
【主权项】:
                1.一种显示设备,所述显示设备包括:第一薄膜晶体管,设置在基底上的第一像素区域中,并且包括第一半导体层和第一栅电极,其中,所述第一半导体层包括第一源区和第一漏区;第二薄膜晶体管,设置在所述基底上的与所述第一像素区域相邻的第二像素区域中,并且包括第二半导体层和第二栅电极,其中,所述第二半导体层包括第二源区和第二漏区;第一像素电极,设置在所述第一像素区域中,并且包括设置有第一发光层的第一区域和从所述第一区域延伸并设置在第一通孔上的第二区域;以及第二像素电极,设置在所述第二像素区域中,并且包括设置有第二发光层的第三区域和从所述第三区域延伸并设置在第二通孔上的第四区域,其中,所述第一像素电极的所述第一区域与所述第一薄膜晶体管的所述第一源区和所述第一漏区中的至少一个叠置,并且其中,所述第二像素电极的所述第四区域与所述第二薄膜晶体管的所述第二源区和所述第二漏区中的至少一个叠置。
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





