[发明专利]显示设备在审
| 申请号: | 201811292551.4 | 申请日: | 2018-11-01 | 
| 公开(公告)号: | CN109755276A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 | 
| 发明(设计)人: | 李定勳;李承珪;郭源奎;李元世 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3233 | 
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;韩芳 | 
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素区域 半导体层 显示设备 第一区域 像素电极 发光层 栅电极 漏区 通孔 源区 薄膜晶体管 第二区域 区域延伸 延伸 | ||
本发明提供了一种显示设备,该显示设备包括:第一薄膜晶体管(TFT),设置在第一像素区域中,并且包括第一半导体层和第一栅电极,其中,第一半导体层包括第一源区和第一漏区;第二TFT,设置在与第一像素区域相邻的第二像素区域中,并且包括第二半导体层和第二栅电极,其中,第二半导体层包括第二源区和第二漏区;第一像素电极,设置在第一像素区域中,并且包括设置有第一发光层的第一区域和从第一区域延伸并设置在第一通孔上的第二区域;以及第二像素电极,设置在第二像素区域中并且包括设置有第二发光层的第三区域和从第三区域延伸并设置在第二通孔上的第四区域。
本申请要求于2017年11月2日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0145375号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
显示设备包括显示装置和用于控制施加到显示装置的电信号的电子装置。该电子装置包括薄膜晶体管、电容器和多条布线。
为了精确地控制显示装置的光发射及其光发射程度,存在电连接到显示装置的大量的薄膜晶体管以及通过其将电信号传输到薄膜晶体管的大量的布线。然而,薄膜晶体管和布线的数量会使显示装置的显示质量和分辨率降低。
发明内容
发明构思的至少一个实施例包括一种具有改善的显示质量和分辨率的显示设备。
根据发明构思的示例性实施例,显示设备包括:第一薄膜晶体管,设置在基底上的第一像素区域中,并且包括第一半导体层和第一栅电极,其中,第一半导体层包括第一源区和第一漏区;第二薄膜晶体管,设置在基底上的与第一像素区域相邻的第二像素区域中,并且包括第二半导体层和第二栅电极,其中,第二半导体层包括第二源区和第二漏区;第一像素电极,设置在第一像素区域中,并且包括设置有第一发光层的第一区域和从第一区域延伸并设置在第一通孔上的第二区域;以及第二像素电极,设置在第二像素区域中,并且包括设置有第二发光层的第三区域和从第三区域延伸并设置在第二通孔上的第四区域。
第一像素电极的第一区域可以与第一薄膜晶体管的第一源区和第一漏区中的至少一个叠置,第二像素电极的第四区域可以与第二薄膜晶体管的第二源区和第二漏区中的至少一个叠置。
第二像素电极的第四区域的大小可以大于第一像素电极的第二区域的大小。
第二像素电极的第三区域和第一像素电极的第一区域可以彼此对角地分隔开。
显示设备还可以包括覆盖第一像素电极的第二区域和第二像素电极的第四区域的绝缘层。
绝缘层可以覆盖第一像素电极的第一区域的边缘和第二像素电极的第三区域的边缘。
显示设备还可以包括:第一驱动薄膜晶体管和第一电容器,设置在第一像素区域中并且连接到第一薄膜晶体管;以及第二驱动薄膜晶体管和第二电容器,设置在第二像素区域中并且连接到第二薄膜晶体管。
第一像素电极的第一区域可以与第一驱动薄膜晶体管和第一电容器至少部分地叠置,第二像素电极的第四区域可以与第二驱动薄膜晶体管和第二电容器至少部分地叠置。
第一电容器可以与第一驱动薄膜晶体管叠置,第二电容器可以与第二驱动薄膜晶体管叠置。
第一电容器可以包括第一底部电极和第一顶部电极,第二电容器可以包括第二底部电极和第二顶部电极,其中,第一底部电极可以是第一驱动薄膜晶体管的栅电极的至少一部分,并且第二底部电极可以是第二驱动薄膜晶体管的栅电极的至少一部分。
显示设备还可以包括:第一数据线,设置在第一像素区域中;第一开关薄膜晶体管,连接到第一数据线和第一驱动薄膜晶体管;以及屏蔽构件,与第一开关薄膜晶体管的源区和漏区中的至少一个叠置。
屏蔽构件可以设置在与第一顶部电极相同的水平处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





