[发明专利]一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法有效
| 申请号： | 201811288681.0 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109461646B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张晓 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，包括：制备SiC外延片；在所述SiC外延片上生长SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 氧化 退火 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，其特征在于，包括：制备SiC外延片；在所述SiC外延片上生长SiO2栅氧化层；在惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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