[发明专利]一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法有效
| 申请号： | 201811288681.0 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109461646B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张晓 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 氧化 退火 方法 | ||
1.一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，其特征在于，包括：
制备SiC外延片；
在所述SiC外延片上生长SiO2栅氧化层；
在惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理，包括：
在500℃～1000℃温度、设定压力和设定时间下，在所述惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理，其中，所述设定压力为0.1mbar～1mbar，所述惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，所述Cl2占所述混合气体的比例为20％～90％。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，制备所述SiC外延片，包括：
选取SiC衬底层；
在所述SiC衬底层上生长SiC外延层，以形成所述SiC外延片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述SiC外延片上生长所述SiO2栅氧化层之前，还包括：
利用RCA清洗所述SiC外延片。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述SiC外延片上生长所述SiO2栅氧化层，包括：
在1000℃～1400℃温度下，通入氧化气体，在所述SiC外延片上生长所述SiO2栅氧化层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧化气体为干氧化气体或湿氧化气体。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理，包括：
在500℃～1000℃温度、设定压力和设定时间下，在所述惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述设定时间为30～180min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为N2、Ar或He。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于秦皇岛京河科学技术研究院有限公司，未经秦皇岛京河科学技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811288681.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：外延自组装高温生长GaN阵列的制备方法
- 下一篇：半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
