[发明专利]一种通过STI减弱TSV热应力的方法

摘要

本发明公开了一种通过STI减弱TSV热应力的方法，包括在硅通孔周围的硅衬底上划分出阻止区，阻止区上不设计对应力敏感的器件，在阻止区上生长一层Si₃N₄和缓冲SiO₂作为掩模，在掩膜上光刻出要刻蚀的沟槽图形，刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜，按照沟槽图形刻蚀沟槽，对刻蚀的沟槽进行氧化硅填充，再进行化学机械抛光，使其平坦化，用热磷酸去除暴露出的Si₃N₄。本发明通过浅槽隔离工艺在硅通孔周围设置沟槽，既能减弱硅通孔热应力，减少硅通孔热应力对电路性能的影响，又能有效减少阻止区面积，增大有源区面积，减少了阻止区对硅衬底面积的浪费。

主权项

1.一种通过STI减弱TSV热应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在硅通孔(2)周围的硅衬底(1)上划分出阻止区，所述组织区上不设计对应力敏感的器件；步骤2，在所述阻止区上生长一层Si3N4和缓冲SiO2，作为掩模；步骤3，在步骤2的掩膜上光刻出要刻蚀的沟槽图形；步骤4，刻蚀掉没有被光刻胶保护的掩膜；步骤5，按照步骤3的沟槽图形刻蚀沟槽；步骤6，对步骤5刻蚀的沟槽进行氧化硅填充；步骤7，对步骤6填充后的沟槽进行化学机械抛光，使其平坦化；步骤8，用热磷酸去除暴露出的Si3N4。