[发明专利]溅射装置及使用溅射装置制造磁存储器件的方法在审
| 申请号： | 201811287314.9 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109750263A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 金基雄;金佑填;朴相奂;申喜珠;吴世忠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周泉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了溅射装置和制造磁存储器件的方法。溅射装置包括：处理室；平台，位于处理室中并且被配置为在自身上加载基板；以及，第一溅射枪，位于处理室中的基板上方。第一溅射枪与基板水平地间隔开。第一溅射枪包括第一靶，第一靶包括第一端和第二端，第一端比第二端在水平投影平面上更靠近基板。第一靶的第一表面相对于基板的顶表面倾斜。第一靶的第二端相对于基板的顶表面的高度与第一靶的第一端相对于基板的顶表面的高度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 溅射装置 顶表面 溅射 磁存储器件 第一端 第一表面 基板水平 水平投影 加载 制造 配置 | ||
【主权项】：
1.一种溅射装置，包括：处理室；平台，位于所述处理室中并且被配置为在自身上加载基板；以及第一溅射枪，位于所述处理室中的所述基板上方，其中，所述第一溅射枪与所述基板水平地间隔开，其中，所述第一溅射枪包括第一靶，所述第一靶包括第一端和第二端，所述第一靶的第一端比所述第一靶的第二端在水平投影平面上更靠近所述基板，并且其中，所述第一靶的第一表面相对于所述基板的顶表面倾斜，以使得所述第一靶的第二端相对于所述基板的顶表面的高度与所述第一靶的第一端相对于所述基板的顶表面的高度不同。
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