[发明专利]溅射装置及使用溅射装置制造磁存储器件的方法

权利要求书

1.一种溅射装置，包括：

处理室；

平台，位于所述处理室中并且被配置为在自身上加载基板；以及

第一溅射枪，位于所述处理室中的所述基板上方，

其中，所述第一溅射枪与所述基板水平地间隔开，

其中，所述第一溅射枪包括第一靶，所述第一靶包括第一端和第二端，所述第一靶的第一端比所述第一靶的第二端在水平投影平面上更靠近所述基板，并且

其中，所述第一靶的第一表面相对于所述基板的顶表面倾斜，以使得所述第一靶的第二端相对于所述基板的顶表面的高度与所述第一靶的第一端相对于所述基板的顶表面的高度不同。

2.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一靶的第二端相对于所述基板的顶表面的高度大于所述第一靶的第一端相对于所述基板的顶表面的高度。

3.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一靶的第二端相对于所述基板的顶表面的高度小于所述第一靶的第一端相对于所述基板的顶表面的高度。

4.根据权利要求1所述的溅射装置，还包括：

第二溅射枪，位于所述处理室中的所述基板上方并且与所述第一溅射枪水平地间隔开，

其中，所述第二溅射枪与所述基板水平地间隔开，

其中，所述第二溅射枪包括第二靶，并且

其中，所述第二靶的第一表面平行于所述基板的顶表面。

5.根据权利要求4所述的溅射装置，其中，所述第一靶和所述第二靶包括彼此相同的材料。

6.根据权利要求1所述的溅射装置，还包括：

第二溅射枪，位于所述处理室中的所述基板上方并且与所述第一溅射枪水平地间隔开，

其中，所述第二溅射枪与所述基板水平地间隔开，

其中，所述第二溅射枪包括第二靶，所述第二靶包括第一端和第二端，所述第二靶的第一端比所述第二靶的第二端在水平投影平面上更靠近所述基板，并且

其中，所述第二靶的第一表面相对于所述基板的顶表面倾斜，并且所述第二靶的第一端相对于所述基板的顶表面的高度大于所述第二靶的第二端相对于所述基板的顶表面的高度。

7.根据权利要求6所述的溅射装置，其中，所述第一靶和所述第二靶包括彼此相同的材料。

8.根据权利要求1所述的溅射装置，其中，所述第一溅射枪还包括：

第一板，位于所述第一靶的与所述第一靶的第一表面相对的第二表面上，并且被配置为向所述第一靶供电；以及

第一屏蔽件，围绕所述第一靶的周边并暴露所述第一靶的第一表面，

其中，所述第一屏蔽件与基板水平地间隔开。

9.根据权利要求1所述的溅射装置，其中：

所述第一溅射枪还包括：第一板，位于所述第一靶的与所述第一靶的第一表面相对的第二表面上，并且被配置为向所述第一靶供电；以及

与所述第一靶的第一表面垂直的第一法线和与所述基板的顶表面垂直且从所述基板的顶表面竖直延伸的参考法线之间形成有角度，所述角度的范围为1°至50°。

10.根据权利要求1所述的溅射装置，其中：

所述第一溅射枪还包括：第一板，位于所述第一靶的与所述第一靶的第一表面相对的第二表面上，并且被配置为向所述第一靶供电；以及

与所述第一靶的第一表面垂直的第一法线和与所述基板的顶表面垂直且从所述基板的顶表面竖直延伸的参考法线之间形成有角度，所述角度的范围为1°至5°。