[发明专利]一种表面粗化的LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种表面粗化的LED芯片及其制作方法，通过对窗口层上的电流扩展材料层进行粗化处理得到电流扩展层，使电流扩展层背离衬底一侧对应电极区以外的表面为粗化表面，进而减少了电流扩展层界面的全反射情况，提高了LED芯片的外量子效率，保证了LED芯片的发光效率高。在此基础上，无需对窗口层背离衬底一侧表面进行粗化处理，而避免了窗口层表面重掺杂层受到破坏，保证了窗口层和电流扩展层之间欧姆接触良好，提高了LED芯片的性能。

主权项

1.一种表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供一外延结构，所述外延结构包括依次叠加的衬底、DBR反射层、第一限制层、MQW量子阱有源层、第二限制层和窗口层，其中，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同；在所述窗口层背离所述衬底一侧蒸镀电流扩展材料层，所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧的表面划分有电极区；通过热处理方式使所述电流扩展材料层形成扩展子层和背离所述扩展子层一侧的多个颗粒；采用刻蚀工艺对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀，得到具有粗化表面的电流扩展层；在所述衬底背离所述DBR反射层一侧蒸镀第一电极，及在所述电流扩展层对应所述电极区处蒸镀第二电极。