[发明专利]一种表面粗化的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供一外延结构，所述外延结构包括依次叠加的衬底、DBR反射层、第一限制层、MQW量子阱有源层、第二限制层和窗口层，其中，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同；

在所述窗口层背离所述衬底一侧蒸镀材质一致的电流扩展材料层，所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧的表面划分有电极区；

通过热处理方式使所述电流扩展材料层的表层形成多个凸起，以形成扩展子层和背离所述扩展子层一侧的多个颗粒，所述多个凸起与所述多个颗粒的材质一致；

采用刻蚀工艺对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀，得到具有粗化表面的电流扩展层；

在所述衬底背离所述DBR反射层一侧蒸镀第一电极，及在所述电流扩展层对应所述电极区处蒸镀第二电极。

2.根据权利要求1所述的表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用刻蚀工艺对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀，包括：

采用湿法刻蚀工艺对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀。

3.根据权利要求2所述的表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺包括：

采用酸性或碱性的刻蚀溶液，对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为草酸或盐酸溶液，其中，所述盐酸溶液中HCl:H2O的体积比为1:1～1:30，包括端点值；

且所述湿法刻蚀工艺时间为5s～240s，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用刻蚀工艺对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀，包括：

采用干法刻蚀工艺对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀。

6.根据权利要求5所述的表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺包括：

采用等离子蚀刻，对所述电流扩展材料层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面进行刻蚀。

7.根据权利要求6所述的表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述等离子蚀刻分为第一阶段和第二阶段，在所述第一阶段采用氩气蚀刻5s-240s，包括端点值；在所述第二阶段采用卤素气体蚀刻10s-600s，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的表面粗化的LED芯片的制作方法，其特征在于，在蒸镀所述电流扩展材料层之前，还包括：

在所述窗口层背离所述衬底一侧形成凹槽，其中，所述凹槽与所述电极区相对应。

9.一种表面粗化的LED芯片，其特征在于，所述表面粗化的LED芯片采用权利要求1-8任意一项所述的制作方法制作而成，包括：

外延结构，所述外延结构包括依次叠加的衬底、DBR反射层、第一限制层、MQW量子阱有源层、第二限制层和窗口层，其中，所述第一限制层和所述第二限制层的掺杂类型不同；

位于所述窗口层背离所述衬底一侧的电流扩展层，所述电流扩展层背离所述衬底一侧的表面划分有电极区，且所述电流扩展层背离所述衬底一侧对应所述电极区以外的表面为粗化表面；

以及，位于所述衬底背离所述DBR反射层一侧的第一电极，及位于所述电流扩展层对应所述电极区处的第二电极。

10.根据权利要求9所述的表面粗化的LED芯片，其特征在于，所述窗口层背离所述衬底一侧具有凹槽，其中，所述凹槽与所述电极区相对应。