[发明专利]一种发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811278385.2 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109449263A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 何苗;丛海云;黄仕华;熊德平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，从蓝宝石衬底向外依次为成核层、粗糙层、第一本征半导体层、第一N型GaN层、量子阱结构、第二本征半导体层、P型GaN层及导电层，所述发光二极管包括第二N型GaN层；所述第二N型GaN层设置于所述P型GaN层与所述导电层之间。本发明通过在现有技术中的发光二极管的P型GaN层与导电层之间设置第二N型GaN层，避免了P层GaN与导电层的直接接触，改用N型GaN与导电层接触，而N型GaN极易与导电层实现欧姆接触，因此，第二N型GaN层与P型GaN层之间的电阻也小到可忽略不计，因此，对比现有技术，本发明提供的发光二极管的内量子效率大大提升，元件的工作效率也得到提高。本发明同时还停工了一种具有上述有益效果的发光二极管的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 导电层 本征半导体层 导电层接触 量子阱结构 内量子效率 工作效率 欧姆接触 蓝宝石 成核层 粗糙层 衬底 电阻 制作 停工 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，从蓝宝石衬底向外依次为成核层、粗糙层、第一本征半导体层、第一N型GaN层、量子阱结构、第二本征半导体层、P型GaN层及导电层，其特征在于，所述发光二极管包括第二N型GaN层；所述第二N型GaN层设置于所述P型GaN层与所述导电层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811278385.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
