[发明专利]一种发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811278385.2 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109449263A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 何苗;丛海云;黄仕华;熊德平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 导电层 本征半导体层 导电层接触 量子阱结构 内量子效率 工作效率 欧姆接触 蓝宝石 成核层 粗糙层 衬底 电阻 制作 停工 | ||
1.一种发光二极管，从蓝宝石衬底向外依次为成核层、粗糙层、第一本征半导体层、第一N型GaN层、量子阱结构、第二本征半导体层、P型GaN层及导电层，其特征在于，所述发光二极管包括第二N型GaN层；
所述第二N型GaN层设置于所述P型GaN层与所述导电层之间。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二N型GaN层的厚度范围为1.0微米至1.5微米，包括端点值。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述P型GaN层的厚度范围为700纳米至800纳米，包括端点值。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括P型AlGaN层；
所述P型AlGaN层设置于所述P型GaN层与所述第二本征半导体层之间。
5.如权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括钝化层，所述钝化层设置在所述发光二极管的外延层侧表面，实现外延层侧面全覆盖。
6.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
在蓝宝石衬底上依次设置成核层、粗糙层、第一本征半导体层、第一N型GaN层、量子阱结构及第二本征半导体层；
在所述第二本征半导体层表面设置P型GaN层；
在所述P型GaN层表面设置第二N型GaN层；
在所述第二N型GaN层表面设置导电层，得到所述发光二极管。
7.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述在所述第二本征半导体层表面设置P型GaN层包括：
在所述第二本征半导体表面设置P型AlGaN层；
在所述P型AlGaN层表面设置P型GaN层。
8.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述在所述第二N型GaN层表面设置导电层之后，还包括：
在所述发光二极管的外延层侧表面设置钝化层，实现外延层侧面全覆盖。
9.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述第二N型GaN层的生长时间的范围为20分钟至30分钟，包括端点值。
10.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述第二N型GaN层在生长时的环境温度为1000摄氏度至1050摄氏度，包括端点值。
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