[发明专利]一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法

摘要

本发明公开了一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法：在与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层与二元InP电荷层之间，采用总厚度在十纳米量级的交替递变的InP和InGaAs(P)多层材料作为过渡层，从而避免采用不易生长的传统多层不同组分的InGaAsP过渡层材料。此过渡层适合采用分子束外延方法生长，且可充分发挥分子束外延可对厚度精确控制的特点，降低了生长含两个V族元素材料在组分控制上的难度，并可方便地进行参数调节和控制。本发明还可以推广到采用分子束外延生长的其他包含两个不同V族元素的异质结过渡层材料。

主权项

1.一种雪崩探测器过渡层结构，其特征在于：所述的过渡层结构由m个周期性过渡单元构成，m为自然数，5≤m≤15，每个过渡单元依次生长一层InP、一层与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)；过渡层结构总厚度d范围为：20nm≤d≤60nm；每一InP单层的厚度a₁以及每一与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层单层的厚度a₂范围为：0.5nm≤a₁<6nm、0.5nm≤a₂<6nm；过渡层中InP层厚度逐渐增加，而与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层厚度逐渐降低，对于过渡层中第n个周期性过渡单元，n为周期数，1≤n≤m，InP单层的厚度而与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层单层的厚度