[发明专利]一种雪崩探测器过渡层结构及制备方法

权利要求书

1.一种雪崩探测器过渡层结构，其特征在于：

所述的过渡层结构由m个周期性过渡单元构成，m为自然数，5≤m≤15，每个过渡单元依次生长一层InP、一层与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)；过渡层结构总厚度d范围为：20nm≤d≤60nm；每一InP单层的厚度a₁以及每一与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层单层的厚度a₂范围为：0.5nm≤a₁6nm、0.5nm≤a₂6nm；过渡层中InP层厚度逐渐增加，而与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层厚度逐渐降低，过渡层中InP层厚度逐渐增加，与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层厚度逐渐降低的方向是远离吸收层方向；对于过渡层中第n个周期性过渡单元，n为周期数，1≤n≤m，InP单层的厚度而与InP晶格匹配的三元或四元InGaAs(P)层单层的厚度

2.根据权利要求1所述的一种雪崩探测器过渡层结构，其特征在于：所述的三元或四元InGaAs(P)层为In_xGa_1-xAs，x＝0.53±0.01，或与InP晶格匹配的InGaAsP材料；当雪崩探测器吸收层为三元In_xGa_1-xAs材料时，x＝0.53±0.01，过渡层中每个过渡单元依次为InP和In_xGa_1-xAs材料；当吸收层为与InP晶格匹配的InGaAsP材料时，过渡层中每个过渡单为依次为InP和InGaAsP材料。

3.一种制备如权利要求1所述的雪崩探测器过渡层结构的制备方法，其特征在于步骤如下：

(1)采用分子束外延生长完成InGaAs(P)吸收层后，将衬底温度降至InP层的生长温度；

(2)依次生长m个由InP和InGaAs(P)构成的周期性过渡单元，对于过渡层中第n个周期性过渡单元，InP单层的厚度InGaAs(P)层单层的厚度

(3)完成过渡层结构的生长，继续生长InP电荷层。