[发明专利]一种半导体器件的结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的结构，使用常规半导体衬底进行半导体器件的制造，通过堆叠工艺和背面沟槽工艺，使得无需使用SOI衬底，就可制造出全隔离的NMOS和PMOS器件；同时，通过背面N+注入和P+注入、背面接触孔和背面金属层工艺，实现了NMOS的P阱接地，PMOS的N阱接电源；并且，背面接触孔在硅衬底上进行密集排布，可以减小串联电阻和增加导热性，从而避免了SOI器件的浮体效应和自加热效应，防止了器件性能的劣化。本发明还公开了一种半导体器件的结构的形成方法。

主权项

1.一种半导体器件的结构，其特征在于，包括：设于半导体衬底正面和背面的多个结构；其中，设于所述半导体衬底正面的结构包括：位于所述半导体衬底的正面上的浅沟槽隔离，阱区，源漏和栅极；位于所述半导体衬底的正面表面上的后道介质层，以及位于所述后道介质层中的后道金属互连层；设于所述半导体衬底背面的结构包括：位于所述半导体衬底的背面上的背面沟槽隔离和重掺杂注入区；所述背面沟槽隔离相连位于所述浅沟槽隔离的上方，所述重掺杂注入区相连位于所述阱区的上方；位于所述半导体衬底的背面表面上的背面介质层，位于所述背面介质层中且下端连接所述重掺杂注入层的多个背面接触孔，以及相连位于所述背面接触孔上端上的背面金属层。