[发明专利]一种集成电路封装工艺

摘要

本发明提出了一种新型的集成电路封装工艺，具有以下优势：(1)采用导电高分子涂层作为底电极，易于剥离和清洗，免去复杂昂贵的蚀刻金属基板工序，且基板可以重复利用；(2)通过增材法自下而上设计电极结构，可大量采用孤岛电极，显著增加集成电路封装I/O数；(3)通过黑氧化或棕氧化工艺，增强了顶电极和底电极之间的铜表面与封装树脂材料的结合，封装结构牢固。

主权项

1.一种集成电路封装工艺，其特征在于：工艺过程包括：(1)在刚性基板上涂覆导电高分子涂层并烘干；(2)导电高分子涂层上涂覆感光材料，再通过图形转移露出线路槽；(3)在图形化区域有机导电涂层露出部分镀底电极；(4)在底电极上继续镀铜层；(5)在铜层上镀顶电极；(6)去除剩余感光材料；(7)在铜层侧面修饰有机金属转化膜；(8)将芯片邦定在顶电极上并灌注封装树脂材料；(9)树脂固化成型后剥离基板，用溶剂清洗封装树脂和底电极上附着的导电高分子，露出底电极，完成封装，基板清洗后可回收利用。所述导电高分子为电导率超过1Scm‑1的共轭高分子涂层，包括聚苯胺、聚吡咯、聚3，4‑乙撑二氧噻吩中的一种或其组合，涂覆方式优选溶液旋涂或刮涂，烘干温度80～120摄氏度。