[发明专利]半导体大功率器件用铜-钼铜-铜复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811265541.1 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109351976B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈永明;章晓波;贺显聪;方信贤 | 申请（专利权）人： | 无锡乐普金属科技有限公司 |
| 主分类号： | B22F7/02 | 分类号： | B22F7/02;B22F3/18;B22F1/02;C23C18/40;C22C9/00;C22C27/04 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 任利国 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体大功率器件用铜‑钼铜‑铜复合材料及其制备方法，包括如下步骤：⑴在石墨烯的表面化学镀铜并烘干；⑵将纯铜粉、钼粉和镀铜石墨烯粉末混合均匀后轧制成钼铜生坯；⑶将纯铜粉与镀铜石墨烯粉末混合均匀后轧制成铜生坯；⑷将钼铜生坯烧结成型；⑸轧制钼铜烧结坯使其厚度变形量达到40%以上；⑹在钼铜合金的上下表面各放一层铜生坯，然后烧结成型并随炉冷却；⑺将铜‑钼铜‑铜复合烧结坯进行双衬板冷轧成型，总厚度变形量控制在10～35%；⑻将复合终轧坯去应力退火。铜层和钼铜层中分别含有0.05～0.5%石墨烯，石墨烯以表面化学镀铜的形式加入，且钼铜层中含5～30%铜。该复合材料在保持高导电性能的基础上，显著提高了强度和导热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 大功率 器件 钼铜 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体大功率器件用铜‑钼铜‑铜复合材料，其特征是，铜层和钼铜层中分别含有质量分数为0.05～0.5%的石墨烯，石墨烯以表面化学镀铜的形式加入，且钼铜层中铜的质量分数为5～30%。
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