[发明专利]一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811257574.1 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109411614B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 李晨;戴海涛;许虞俊;赖良德 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y10/00;B82Y30/00
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 卢倩
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于发光二极管技术领域,特别涉及一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法,包括不同掺杂比例系数的钙钛矿纳米晶体(FA1‑xMAxPbBr3)的制备方法;有机无机复合型钙钛矿发光二极管从下到上依次为ITO透明导电玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、有机无机复合型钙钛矿发光层、电子传输层、Al和LiF的复合电极;有机无机复合型钙钛矿纳米晶体(FA1‑xMAxPbBr3)是以不同摩尔比例的FABr和MABr的混合溶液为原料制得;本发明的有机无机复合型钙钛矿纳米晶体的制备方法简单,成本低廉,制得的钙钛矿发光二极管器件具有很高的光电转换效率,能够有效的改善钙钛矿发光二极管器件性能。
搜索关键词: 一种 有机 无机 复合型 钙钛矿 发光二极管 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件,由下而上依次包括透明导电阳极ITO、空穴注入层、空穴传输层、有机无机钙钛矿发光层、电子传输层、阴极;其特征在于,所述有机无机钙钛矿发光层由掺杂了MA的FAPbBr3的纳米晶体构成,其中FA表示甲脒离子,MA表示甲胺离子。
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