[发明专利]一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811257574.1 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109411614B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李晨;戴海涛;许虞俊;赖良德 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢倩 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 无机 复合型 钙钛矿 发光二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件，由下而上依次包括透明导电阳极ITO、空穴注入层、空穴传输层、有机无机钙钛矿发光层、电子传输层、阴极；其特征在于，所述有机无机钙钛矿发光层由掺杂了MA的FAPbBr3的纳米晶体构成，其中FA表示甲脒离子，MA表示甲胺离子；
所述的有机无机钙钛矿发光层，成分为FA0.9MA0.1PbBr3或FA0.8MA0.2PbBr3；
所述透明导电阳极ITO厚度为200nm；所述空穴注入层厚度为220～240nm；电子传输层厚度为40nm；阴极为金属氟化物LiF与金属Al复合层，LiF的厚度为1nm，Al的厚度为120nm。
2.如权利要求1所述的有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述空穴注入层为聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐。
3.如权利要求1所述的有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述空穴传输层为聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)。
4.如权利要求1所述的有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，所述电子传输层为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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