[发明专利]光电转换器件、其制造方法和装置

摘要

本发明涉及光电转换器件、其制造方法和装置。一种光电转换器件包括：包含光电转换部分的半导体基板；布置于光电转换部分之上的氧化硅膜；和布置于光电转换部分与氧化硅膜之间的绝缘膜。构成光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中。绝缘膜的第二杂质区域之上的部分和第二杂质区域包含硼。从半导体基板的表面到第二杂质区域中的硼浓度取最小值的第一位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。

主权项

1.一种光电转换器件，其特征在于，包括：包含光电转换部分的半导体基板；布置于所述光电转换部分之上的氧化硅膜；和布置于所述光电转换部分与所述氧化硅膜之间的绝缘膜，其中，构成所述光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于所述绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中，所述绝缘膜的第二杂质区域之上的部分和第二杂质区域包含硼，并且关于与半导体基板的表面相交并且通过第二杂质区域的直线上的硼浓度的轮廓，令第二杂质区域中的硼浓度取最小值的位置为第一位置，则从半导体基板的表面到第一位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到所述氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。