[发明专利]光电转换器件、其制造方法和装置

权利要求书

1.一种光电转换器件，其特征在于，包括：

包含光电转换部分的半导体基板；

布置于所述光电转换部分之上的氧化硅膜；和

布置于所述光电转换部分与所述氧化硅膜之间的绝缘膜，

其中，构成所述光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于所述绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中，

所述绝缘膜中的第二杂质区域之上的部分包含硼，并且第二杂质区域包含硼，并且

关于与半导体基板的表面相交并且通过第二杂质区域的直线上的硼浓度的分布，令第二杂质区域中的硼浓度取最小值的位置为第一位置，则从半导体基板的表面到第一位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到所述氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，关于所述分布，令在半导体基板的深度方向上与半导体基板的表面分开半导体基板的表面与所述氧化硅膜的上表面之间的距离的位置为第二位置，则从半导体基板的表面到第二位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到所述氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，关于所述分布，令在深度方向上与半导体基板的表面分开20nm的位置为第三位置，则从半导体基板的表面到第三位置的硼浓度的积分值大于从半导体基板的表面到所述氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，从半导体基板的表面到所述氧化硅膜的上表面的硼浓度的积分值不大于5.0E12/cm²。

5.一种光电转换器件，其特征在于，包括：

包含光电转换部分的半导体基板；

布置于所述光电转换部分之上的氧化硅膜；和

布置于所述光电转换部分与所述氧化硅膜之间的绝缘膜，

其中，构成所述光电转换部分的一部分的n型第一杂质区域和布置于所述绝缘膜与第一杂质区域之间的p型第二杂质区域被设置在半导体基板中，

所述绝缘膜中的第二杂质区域之上的部分包含硼，并且第二杂质区域包含硼，并且

关于与半导体基板的表面相交并且通过第二杂质区域的直线上的硼浓度的分布，半导体基板的表面处的硼浓度不小于半导体基板的表面与所述氧化硅膜的上表面之间的中间点处的硼浓度的10倍。

6.根据权利要求5所述的器件，还包括：

布置于半导体基板之上的层间绝缘膜；和

布置于所述光电转换部分之上并且被所述层间绝缘膜包围的电介质区域，

其中，所述氧化硅膜被布置于所述光电转换部分与所述电介质区域之间。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述电介质区域的材料是含有氢的硅化合物。

8.根据权利要求5所述的器件，其中，半导体基板与所述绝缘膜的第二杂质区域之上的部分之间的界面处的硼浓度不小于1.0E19/cm³且不大于1.0E20/cm³。

9.根据权利要求5所述的器件，还包括半导体基板的与第一杂质区域相邻的部分之上的栅电极，

其中，绝缘膜延伸到所述栅电极与半导体基板之间的部分。

10.根据权利要求5所述的器件，其中，绝缘膜是氮氧化硅膜。

11.根据权利要求5所述的器件，还包括布置于所述氧化硅膜之上的氮化硅膜，

其中所述氮化硅膜和所述氧化硅膜相互接触。

12.根据权利要求5所述的器件，其中，所述绝缘膜与第二杂质区域相互接触，以及

所述氧化硅膜与所述绝缘膜相互接触。