[发明专利]形成半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201811251062.4 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817581A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张书维;曾建华;吴中书;蔡雅怡;陈嘉仁;魏安祺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离(STI)材料上方形成金属栅极堆叠；在浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；凹陷层间介电层至低于金属栅极堆叠的顶表面的一高度处；在已凹陷的层间介电层上方形成护盔结构；以及在形成护盔结构之后，蚀刻金属栅极堆叠直到到达浅沟槽隔离材料。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅极堆叠 浅沟槽隔离 半导体结构 介电层 蚀刻 半导体基板 层间介电层 凹陷层 顶表面 凹陷 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包含：在一半导体基板中的一浅沟槽隔离材料上方形成一金属栅极堆叠；在该浅沟槽隔离材料上方形成一层间介电层；将该层间介电层凹陷至低于该金属栅极堆叠的一顶表面的一高度；在凹陷的该层间介电层上方形成一护盔结构；以及在形成该护盔结构之后，蚀刻该金属栅极堆叠直到到达该浅沟槽隔离材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811251062.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路器件和制造集成电路器件的方法
- 下一篇：半导体结构的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
