[发明专利]形成半导体结构的方法

说明书

一种形成半导体结构的方法包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离(STI)材料上方形成金属栅极堆叠；在浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；凹陷层间介电层至低于金属栅极堆叠的顶表面的一高度处；在已凹陷的层间介电层上方形成护盔结构；以及在形成护盔结构之后，蚀刻金属栅极堆叠直到到达浅沟槽隔离材料。

技术领域

本揭露是有关一种形成半导体结构的方法。

背景技术

半导体装置是在半导体晶圆基板上制造的小电子元件。使用各种制造技术，这些装置被制造且连接在一起以形成集成电路。在一个晶片上可找到数个集成电路，并且这些集成电路在操作电子设备时能够执行一组有用功能。这些电子设备例如移动电话、个人计算机及个人游戏装置。依照这些受欢迎的装置的尺寸，意味着在晶片上形成的元件是小的。

发明内容

根据本揭露一些实施例，一种形成半导体结构的方法包括：在半导体基板中的浅沟槽隔离(STI)材料上方形成金属栅极堆叠；在浅沟槽隔离材料上方形成层间介电层；凹陷层间介电层至低于金属栅极堆叠的顶表面的高度处；在凹陷的层间介电层上方形成护盔结构；以及在形成护盔结构之后，蚀刻金属栅极堆叠直到到达浅沟槽隔离材料。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭露的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。

图1是根据本揭露的一些实施例的形成半导体结构的方法的流程图；

图2是根据本揭露的一些实施例的半导体装置的立体图；

图3是沿着图2所示的线L1-L1截取的半导体装置的剖面图；

图4至图7、图9、图11、图13、图15、图17、图19及图21是在图3的阶段之后沿着图2的线L1-L1截取的形成半导体结构的中间阶段的剖面图；

图8、图10、图12、图14A、图16A、图18A、图20及图22是在图6的阶段之后沿着图2的线L2-L2截取的形成半导体结构的中间阶段的剖面图；

图14B、图16B及图18B是在图12的阶段之后沿着图2的线L3-L3截取的形成半导体结构的中间阶段的剖面图。

具体实施方式

以下揭露内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述组件及排列的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭露可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简便性及清晰的目的且本身并不指示所论述的各个实施例及/或配置之间的关系。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中元件的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。