[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201811248928.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109801918B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李根;李正吉;金度亨;柳成男;林炫锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B43/27;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上交替地堆叠牺牲层和层间绝缘层以形成堆叠结构；在所述堆叠结构中形成沟道；在所述堆叠结构中形成分离区；通过分离区去除牺牲层来形成横向开口；以及在所述横向开口中形成栅电极，其中，形成所述栅电极包括：通过供应源气体和第一反应气体，在所述横向开口中形成成核层；以及通过供应所述源气体和不同于所述第一反应气体的第二反应气体，在所述横向开口中的成核层上形成体层，并且其中，所述第一反应气体从储存在充气罐中并从所述充气罐供应的第一反应气体源供应。
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