[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上交替地堆叠牺牲层和层间绝缘层以形成堆叠结构；

在所述堆叠结构中形成沟道；

在所述堆叠结构中形成分离区；

通过分离区去除牺牲层来形成横向开口；以及

在所述横向开口中形成栅电极，

其中，形成所述栅电极包括：

通过供应源气体和第一反应气体，在所述横向开口中形成成核层；以及

通过供应所述源气体和不同于所述第一反应气体的第二反应气体，在所述横向开口中的成核层上形成体层，并且

其中，所述第一反应气体从储存在充气罐中并从所述充气罐供应的第一反应气体源供应。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述成核层包括第一浓度的硼(B)或硅(Si)，并且其中，所述体层包括具有比所述第一浓度低的第二浓度的硼(B)或硅(Si)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一反应气体包括B₂H₂或SiH₄。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二反应气体包括H₂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一反应气体的源气体分解速率比所述第二反应气体的源气体分解速率更高。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅电极包括钨(W)，并且所述源气体包括钨前驱物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述成核层的厚度小于所述体层的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述成核层中的氟(F)、氮(N)、氯(Cl)或碳(C)中的至少一种的浓度低于所述体层中的氟(F)、氮(N)、氯(Cl)或碳(C)中的所述至少一种的浓度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述体层包括：

在所述成核层上形成第一体层；以及

在所述第一体层上形成第二体层，所述第二体层具有比所述第一体层的比电阻更高的比电阻，并且包括比所述第一体层的杂质浓度更高的杂质浓度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述第二体层时，所述第二反应气体从储存在分离的充气罐中并从所述分离的充气罐供应的第二反应气体源供应。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述第二体层时，供应用于供应所述杂质的功能气体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述功能气体包括氮气，并且所述杂质包括氮(N)。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一体层在第一工艺温度下形成，其中，所述第二体层在第二工艺温度下形成，并且其中，所述第一工艺温度高于所述第二工艺温度。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一体层在第一工艺压力下形成，其中，所述第二体层在第二工艺压力下形成，并且其中，所述第一工艺压力低于所述第二工艺压力。